MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1780917

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFD9120PBF

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET, 100 V - 400 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	600 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1780917, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFD9120PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 344,00*

Az ár 50 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 100 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.