MOSFET, 1 elem/chip, 1,3 A, 100 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1780923

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRLD120PBF

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1,3 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	270 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1,3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-10 V, +10 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 1780923, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRLD120PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 31 347,70*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 100 db (kezdő: HUF 313,477* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.