AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 30 A, 40 V, 4-tüskés, PowerPAK SO-8L TrenchFET Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1783717

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQJ415EP-T1_GE3

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

TrenchFET® power MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	30 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	PowerPAK SO-8L
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	20 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	45 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	±20 V
Hossz:	5.99mm

További keresőfogalmak: 1783717, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay Siliconix, SQJ415EPT1_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 126,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.