AEC-Q101 MOSFET, 2 elem/chip, 6 A, 60 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8 TrenchFET Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1783727

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SQS966ENW-T1_GE3

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

TrenchFET® power MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	6 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8
Sorozat:	TrenchFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	60 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	27,8 W
Maximális kapu forrásfeszültség:	±20 V
Hossz:	3.15mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 1783727, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay Siliconix, SQS966ENWT1_GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 127,00*

Az ár 1 500 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 3 000 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.