MOSFET, 1 elem/chip, 67 A, 120 V, 8-tüskés, PQFN 5 x 6 Egyszeres

Ez az n-csatornás MV MOSFET a továbbfejlesztett PowerTrench® folyamat használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a magas szintű kapcsolási teljesítményt a diódatest kategóriaelső puhaságával.Védett kapus MOSFET technológia Max. rDS(on) = 4,0 mΩ VGS = 10 V és ID = 67 A esetén Max. rDS(on) = 8,0 mΩ VGS = 6 V és ID = 33 A esetén 50%-kal kisebb Qrr érték, mint más MOSFET-beszállítók termékeinél Csökkenti a kapcsolási zajt / az elektromágneses interferenciát MSL1 típusú, robusztus tokkialakítás Alkalmazások: Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel. Végtermékek: AC–DC- és DC–DC-tápegységek