MOSFET, 1 elem/chip, 147 A, 80 V, 8-tüskés, PQFN8 Egyszeres

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a magas szintű kapcsolási teljesítményt a diódatest kategóriaelső puhaságával.Jellemzők Védett kapus MOSFET technológia Max. rDS(on) = 3,1 mΩ VGS = 10 V és ID = 56 A esetén Max. rDS(on) = 8,1 mΩ VGS = 6 V és ID = 28 A esetén 50%-kal kisebb Qrr érték, mint más MOSFET-beszállítók termékeinél Csökkenti a kapcsolási zajt / az elektromágneses interferenciát MSL1 típusú, robusztus tokkialakítás Alkalmazások Primer oldali DC–DC MOSFET Szinkron egyenirányító a DC–DC és az AC–DC egységben Motormeghajtók Napelemes inverterek Terheléskapcsolók Végtermékek Tápadapterek DC–DC-tápegységek Elektromos szerszámgépek Drónok Akkumulátorok