MOSFET, 1 elem/chip, 250 mA, 20 V, 3-tüskés, TSMT-3 Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-178649

Gyártó:
ROHM Semiconductor

Gyártói szám:
RTU002P02

EAN/GTIN:
5059043884097

Keresőfogalmak:

P-csatornás MOSFET tranzisztorok, ROHM

További információk:


Csatorna típusa:	P
Maximális folyamatos nyelőáram:	250 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	20 V
Csomag típusa:	TSMT-3
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	200 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-12 V, +12 V
Hossz:	2.9mm
Elemek száma chipenként:	1
Tranzisztor anyaga:	Si

További keresőfogalmak: 178649, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, ROHM, RTU002P02

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 260,70*

Az ár 30 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 10 db (kezdő: HUF 26,07* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.