MOSFET, 2 elem/chip, 300 mA, 60 V, 6-tüskés, SOT-363 Izolált Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1787611

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
NTJD5121NT1G

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

Két N-csatornás MOSFET on Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	300 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	SOT-363
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	6
Maximális nyelő forrásellenállás:	2,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	266 mW
Tranzisztorkonfiguráció:	Izolált
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	2.2mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	2

További keresőfogalmak: 1787611, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, onsemi, NTJD5121NT1G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 52 909,02*

Az ár 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 3 000 db (kezdő: HUF 17,63634* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.