MOSFET, 1 elem/chip, 222 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a magas szintű kapcsolási teljesítményt a diódatest kategóriaelső puhaságával.MAX. RDS(on) = 2,3 mΩ VGS = 10 V, ID = 222 A Áramsűrűség És Árnyékolt Kapu Nagy Teljesítményű Árok technológia rendkívül alacsony RDS-funkcióval(be) Nagy teljesítménysűrűség az árnyékolt kaputechnológiával Különösen Alacsony Hátrameneti Helyreállítási Töltés, Qrr Alacsony Vds vezérelt belső nyomásszabályozó funkció. Alacsony kapu Töltés, QG = 108NC (Typ.) Kis kapcsolási veszteség Nagy Teljesítmény És Áramellátási Képesség Alacsony Qrr/Trr Lágy helyreállítási teljesítmény Jó EMI teljesítmény Szinkron Fejlesztés az ATX / kiszolgáló / munkaállomás / Telecom PSU / Adapter és Ipari tápegységek számára. Motormeghajtók és szünetmentes tápegységek Mikro Napinverter Kiszolgáló Telekommunikáció Számítástechnika (Atx, Munkaállomás, Adapter, Ipari Tápegységek Stb.) Motormeghajtó Szünetmentes Tápegységek