MOSFET, 1 elem/chip, 128 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220 Egyszeres

Ez az n-csatornás MV MOSFET az ON Semiconductor továbbfejlesztett PowerTrench® folyamatának használatával készül, amely magában foglalja a védett kapus technológiát. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a magas szintű kapcsolási teljesítményt a diódatest kategóriaelső puhaságával.MAX. RDS(on) = 4,5 mΩ VGS = 10 V, ID = 128 A Teljesítménysűrűség És Árnyékolt Kaputeljesítmény-Sűrűség És Árnyékolt Kapu Nagy Hatékonyság / Nagy Teljesítmény Nagy Teljesítményű Árok technológia rendkívül alacsony RDS-funkcióval(be) Nagy teljesítménysűrűség az árnyékolt kaputechnológiával Különösen Alacsony Hátrameneti Helyreállítási Töltés, Qrr Alacsony Vds vezérelt belső nyomásszabályozó funkció. Alacsony kamraajtó Töltés, QG = 48NC (Typ.) Kis kapcsolási veszteség Nagy Teljesítmény És Áramellátási Képesség Alacsony Qrr/Trr Lágy helyreállítási teljesítmény Szinkron Fejlesztés az ATX / kiszolgáló / munkaállomás / Telecom PSU / Adapter és Ipari tápegységek számára. Motormeghajtók és szünetmentes tápegységek Mikro Napinverter Kiszolgáló Telekommunikáció Számítástechnika (Atx, Munkaállomás, Adapter, Ipari Tápegységek Stb.) Motormeghajtó Szünetmentes Tápegységek Napelemes inverter