AEC-Q100 FRAM memória FM24CL64B-GTR, I2C 64kbit, 8K x 8 bit, 550ns, 2,7 V – 3,6 V, -40 °C és +85 °C között, 8-tüskés,

16 Kbit-os ferroeloelektromos közvetlen hozzáférési memória (F-RAM) logikailag 2K x 8-as elrendezésben Nagy teherbírású 100 trillió (1014) olvasás/írás 151 éves adatrögzítés (Lásd Az Adatrögzítést és A Terhelhetőséget a 12. Oldalon) NoDelay™ ír advanced nagy megbízhatóságú ferromelektromos eljárás Nagyon gyors soros perifériainterfész (SPI) Akár 20 MHz frekvencia A soros flash és az EEPROM közvetlen hardvercseréje Az SPI 0 (0, 0) és 3 (1, 1) módot támogatja Kifinomult írásvédelmi rendszer Hardvervédelem az WP (Write Protection) csap használatával Szoftveres védelem az Írás letiltás utasítás használatával 1/4, 1/2 vagy teljes tömb szoftverblokk-védelme Kis teljesítményfelvétel 200 db, egymáshoz képest aktív áramerősség 1 MHz esetén 3 rejtett A (jellemzően) készenléti áram Kisfeszültségű működés: VDD = 2,7 V - 3,6 V Ipari hőmérséklet: -40, a C és a +85 közötti összefüggés, a C között Csomagok 8-tűs kis méretű, integrált áramkörű (SOIC) csomag 8-pólusú vékony kettős lapos vezeték (DFN) csomag