AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen az egyszerű hajtások SUPERFET III MOSFET sorozata segít az elektromágneses interferencia miatt fellépő problémák kezelésében és egyszerűbb szerkezeti megvalósítást tesz lehetővé.700 V TJ MELLETT = 150°C Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 78 nC) Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 715 pF) PPAP-kompatibilitás Typ. RDS(bekapcsolva) = 63 mΩ Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Alacsonyabb kapcsolási veszteségek PPAP-kompatibilitás Alkalmazások HV DC/DC ÁTALAKÍTÓ Végtermékek Fedélzeti Töltő DC/DC átalakító