AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 40 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

A SUPERFET® III MOSFET a SEMICONDUCTOR vadonatúj, nagy feszültségű szuper-csatlakozóján (SJ) található MOSFET CSALÁDON, amely a kiegyenlítő technológia alkalmazásával alacsony, alacsony teljesítményszintet és alacsonyabb kaputöltetet biztosít. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen a SUPERFET III MOSFET a különböző miniatürizálásra és nagyobb hatékonyságra alkalmas teljesítmény-rendszerekhez alkalmazható. A felülúszó FET III FRFET® MOSFET-ek optimalizált hátrameneti teljesitménye képes a kiegészítő alkatrészek eltávolítására és a rendszer megbízhatóságának növelésére.700 V TJ MELLETT = 150°C Typ. RDS(on) = 64 m. Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 81 nC) Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 722 pF) Ezek ólommentes eszközök Tipikus alkalmazások Járművezetők A Fedélzeti Töltőn Automata egyenáramú/DC konverter a HEV-hez