AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 65 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen a SUPERFET III MOSFET a miniatürizálás és a nagyobb hatékonyság érdekében nagyon alkalmas különböző teljesítményrendszerekhez. A felülúszó FET III FRFET MOSFET teljesültre optimalizált hátrameneti végteljesítménye a testdiódából a kiegészítő alkatrészeket is eltávolíthatja, és javíthatja a rendszer megbízhatóságát700 V TJ MELLETT = 150°C Ultra Alacsony Kapu Töltés (Typ. Qg = 158 NC) Alacsony Hatásfokú Kimeneti Kapacitás (Typ. COSS (eff.) = 1366 PF) PPAP-kompatibilitás Typ. RDS(on) = 32 mΩ Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Alacsonyabb kapcsolási veszteségek PPAP-kompatibilitás Alkalmazások HV DC/DC ÁTALAKÍTÓ Végtermékek Fedélzeti Töltő DC/DC átalakító