|  |
| |
| Cikkszám:
4GUDN-1868142 Gyártói szám:
FDB38N30U EAN/GTIN:
5059045738749 |
| |
|
| | |
| Az UniFETTM MOSFET a nagyfeszültségű MOSFET család, amely a plantar csíkokra és a DMOS technológiára épül. A MOSFET-et az állapot alapú ellenállás csökkentésére és jobb kapcsolási teljesítményre és nagyobb lavinaenergia-erősségre tervezték. Az UniFET Ultra FETTM MOSFET a felsőtest-dióda visszaforgatási teljesítményével büszkélkedhet. Az érzékelő trr kevesebb mint 50 nsec, és a hátrameneti dv/dt immunitás 20 V/nsec, míg a normál síkú MOSFET-ek esetében több mint 200 nsec, illetve 4,5 V/nsec. Ezért az UnilFET Ultra FET MOSFET további alkotóelemet is eltávolíthat, és javíthatja a rendszer megbízhatóságát egyes alkalmazások esetében, amelyek teljesítményjavítást igényelnek a MOSFET-testtapíra vonatkozóan. Ez az eszközcsalád olyan teljesítményátalakító alkalmazások váltására alkalmas, mint a teljesítménytényező-korrekció (PFC), a síkképernyős kijelző (FPD) TV tápellátása, az ATX és az elektronikus lámpaegységek.RDS(on) = 120mΩ ( max.)@ VGS = 10V, ID = 19A Alacsony kamraajtó töltés ( Typ. 56NC) Alacsony Crss ( Typ. 55PF) Alkalmazások Ez a termék általános célú felhasználásra készült, és számos különböző alkalmazáshoz megfelel. További információk: | | Csomag típusa: | D2PAK | Rögzítés típusa: | Felületre szerelhető | Maximális teljesítménydisszipáció: | 313 W | Tüskék száma: | 2 + Tab | Elemek száma chipenként: | 1 | Méret: | 10.67 x 9.65 x 4.58mm | Maximális működési hőmérséklet: | +150 °C | Hossz: | 10.67mm | Min. működési hőmérséklet: | -55 °C | Szélesség: | 9.65mm |
|
| | |
| | | |
| További keresőfogalmak: 1868142, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Bipoláris tranzisztorok, onsemi, FDB38N30U |
| | |
| |