MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 30 V, 8-tüskés, PowerPAK 1212-8SH Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-1884957

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
SiSHA14DN-T1-GE3

EAN/GTIN:
5059045758068

Keresőfogalmak:

N-csatornás 30 V-os (D-S) MOSFET.TrenchFET® IV. generációs teljesítmény MOSFET

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	20 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	30 V
Csomag típusa:	PowerPAK 1212-8SH
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	8 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	2.2V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	26,5 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-16 V, +20 V
Hossz:	3.3mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C

További keresőfogalmak: 1884957, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, SiSHA14DNT1GE3

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 2 057,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 25 db (kezdő: HUF 82,304* db-ként)

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.