AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 44 A, 1200 V, 3-tüskés, TO-247 Egyszeres SiC

A Silicon Carbide (SIC) MOSFET a Teljesen új technológiát alkalmazza, amely a Szilíciumhoz képest kiemelkedő kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt. Az alacsony ellenállású és kompakt chip-méret továbbá alacsony kapacitású és kaputöltetet biztosít. Következésképpen a rendszer előnyei közé tartozik a legnagyobb hatékonyság, faster üzemi frekvencia, megnövelt energiasűrűség, csökkentett EMI és kisebb rendszerméret.1200 V névleges feszültség MAX. RDS(on) = 110 mΩ Vgs-nál = 20 V, Id = 20A Nagy Sebességű Kapcsolás És Kiskapacitású Az eszközök díjmentesek Alkalmazások PFC OBC Végtermékek Jármű DC/DC átalakító EV/PHEV változathoz Járművezetők A Fedélzeti Töltőn Jármű-Segédmotormeghajtás