MOSFET, 1 elem/chip, 36 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

A SUPERFET III MOSFET a ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű szuper-csatlakozóval (SJ) rendelkező MOSFET termékcsaládját alkalmazza, amely a kiegyenlítő technológia alkalmazásával kiváló, alacsony ellenállóképességű és alacsonyabb kapu-teljesítmény érhető el. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen a SUPERFET III MOSFET a miniatürizálás és a nagyobb hatékonyság érdekében nagyon alkalmas különböző teljesítményrendszerekhez. A felülúszó FET III FRFET MOSFET teljesültre optimalizált hátrameneti végteljesítménye a testdiódából a kiegészítő alkatrészeket is eltávolíthatja, és javíthatja a rendszer megbízhatóságát.700 V TJ = 150 °C esetén Ultra alacsony kapufeltöltés (gépelési mód) QG = 66 nC) Alacsony hatásfokú kimeneti kapacitás (THP. COSS = 569 pF) Kiváló teljesítményű beépített dióda (alacsony Qrr, robusztus beépített dióda) Optimalizált kapacitás Typ. RDS(on) = 80 mΩ Magasabb megbízhatóság alacsony hőmérsékleten történő működés esetén Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Megbízhatóbb rendszer az LLC-ben és a fáziseltolás teljeshidas áramkörében Alacsonyabb csúcs Vds és alacsonyabb Vgs-oszcilláció Alkalmazások Telekommunikáció Felhőrendszer Ipari Végtermékek Telekommunikációs tápellátás Kiszolgáló tápellátása EV (elektromos jármű) töltő Napelem/szünetmentes tápegységek