MOSFET, 1 elem/chip, 115 A, 200 V, 4-tüskés, SOT-227 HiperFET, Polar Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-193616

Gyártó:
IXYS

Gyártói szám:
IXFN140N20P

EAN/GTIN:
5059045925392

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ sorozat. N csatornás teljesítmény MOSFET-ek gyors Belső diódával (HiPerFET™) az IXYS tartományból

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	115 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	SOT-227
Sorozat:	HiperFET, Polar
Rögzítés típusa:	Csavaros rögzítés
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	18 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	5V
Maximális teljesítménydisszipáció:	680 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	38.23mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C

További keresőfogalmak: 193616, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, IXYS, IXFN140N20P

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 8 597,00*

Az ár 3 000 db-től érvényes

Sávos árak