AEC-Q100 MOSFET, 1 elem/chip, 24-tüskés, QFN24 Egyszeres SiC

Az NCTV51705 meghajtó elsősorban a SiC MOSFET tranzisztorok meghajtására készült. A lehető legkisebb vezetési veszteség elérése érdekében a vezető a maximális megengedett kapufeszültséget a SiC MOSFET eszköznek is szállítja. A−be- és kikapcsolása során a csúcsáram magas peak-áram biztosítása minimálisra csökkenti a kapcsolási veszteségeket is. A jobb megbízhatóság, a DV/dt immunitás és a faster−kikapcsolás érdekében az NCV51705 a beépített−-es feltöltő szivattyúval a felhasználó által kiválasztható negatív feszültségű sín létrehozására képes. Elszigetelt alkalmazások esetén az NCV51705 külső elérésű 5 V-os sínt is tartalmaz a digitális vagy nagy sebességű opto-izolátorok másodlagos oldalának áramellátását illetően.