AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 24 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. Következésképpen a SUPERFET III MOSFET nagyon alkalmas a miniatürizálás és a nagyobb hatékonyság érdekében használható különböző energiarendszerekhez.a SUPERFET III FRFET® MOSFET® optimális hátrameneti teljesítmény, amelyet a testdióda nyújt, további komponenseket távolíthat el, és javíthatja a rendszer megbízhatóságát.700 V TJ MELLETT = 150°C Typ. RDS(be) = 114 m Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 33 nC) Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 345 pF) Ezek ólommentes eszközök Alkalmazások Fedélzeti Töltővel Szerelt Gépjárműjármű Gépjármű DC/DC átalakító HEV-hez