Bipoláris tranzisztor AFGHL50T65SQDC, NPN, 100 A, 650 V, 1 MHz, 3-tüskés Egyszeres

A félvezető új hibrid IGBT-i sorozatán alapuló, új helyszíni leállításra szolgáló IGBT és SiC BD technológia optimális teljesítményt nyújt a kemény kapcsolási alkalmazások számára. A készülék egy szilíciumalapú IGBT-t tartalmaz egy SiC Scottky barrier diódával, ami kiváló megoldást jelent a szilíciumalapú megoldások alacsonyabb teljesítménye és a teljesen SiC-alapú megoldások magasabb költsége között.A SiC-vitorlás gát diódával megkopva Rendkívül alacsony hátrameneti visszanyerési veszteség pn-átmenet maximális hőmérséklete: TJ = 175 °C Nagyobb megbízhatóság Nagyon alacsony kapcsolási és vezetési veszteségek Pozitív hőmérséklet-Co-hatékony Szűk paraméterelosztás Alkalmazások Autóipar Ipari, inverter DC-DC átalakító Pfc, Toteme Pole Bridgnem Erős Kapcsolás