AEC-Q101 MOSFET, 1 elem/chip, 20 A, 650 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) Egyszeres

Az ON Semiconductor vadonatúj, nagy feszültségű, „szuperkapcsolású”; (SJ) MOSFET-családjába tartozó SUPERFET III MOSFET a kiugróan kis bekapcsoláskori ellenállás és a kisebb kaputöltési teljesítmény érdekében töltéskiegyenlítési technológiát használ. Ez a fejlett technológia minimálisra csökkenti a vezetési veszteségeket, így kiváló kapcsolási teljesítményt nyújt és a szélsőséges dv/dt aránynak is ellenáll. A SuperFET III MOSFET következésképp különösen alkalmas a miniatürizálást és nagyobb hatékonyságot célzó különböző táprendszerekbe. A testdiódák fordított visszaállítási teljesítményéhez optimalizált SuperFET III FRFET® MOSFET-ek révén csökkenhet a kiegészítő alkatrészek száma, illetve nő a rendszer megbízhatósága.701 V TJ MELLETT = 150°C Nagyobb rendszer-megbízhatóság alacsony hőmérsékleten Ultra-alacsony kaputöltés (jell. Qg = 33 nC) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek Alacsony effektív kimeneti kapacitás (jell. Coss(eff.) = 300 pF) Alacsonyabb kapcsolási veszteségek PPAP-kompatibilitás Typ. RDS(be) = 158 mohm Alkalmazás DC/DC átalakító