|  |
| |
| Cikkszám:
4GUDN-1958771 Gyártói szám:
NXH100B120H3Q0STG EAN/GTIN:
nincs adat |
| |
|
| | |
| Az NXH100B120H3Q0 egy olyan teljesítménymodul, amely kettős feszültségnövelő fázisból álló 50A/1200 V IGBT-ket, két 20A/1200 V SiC diódákat, valamint két 25 A/1600 V nem párhuzamos diódákat tartalmaz az IGBT-khez. Két kiegészítő 25 A/1600 V megkerülő egyenirányító is található benne, amely a lökőáram korlátozására szolgál. Kártyára szerelt termisztorral.IGBT specifikációi: VCE(SAT) = 1,77 V, ESW = 2180 uJ Gyors IGBT alacsony VCE(SAT) értékkel a nagy hatékonyságért 25 A / 1600 V megkerülő és nem párhuzamos diódák Alacsony VF megkerülő diódák a kiváló hatékonyságért megkerülő üzemmódban SiC egyenirányító specifikációi: VF = 1,44 V SiC dióda a nagy sebességű kapcsoláshoz Forrasztópáka és nyomópáka-illeszthető tűopciók állnak rendelkezésre • Rugalmas szerelés Alkalmazások MPPT Boost Stádium Akkumulátortöltő Boost Szintje További információk: | | Maximális kollektor kibocsátó feszültség: | 1200 V | Maximális kapu kibocsátó feszültség: | ±20V | Maximális teljesítménydisszipáció: | 186 W | Kiosztás: | Kettős | Csomag típusa: | Q0BOOST | Rögzítés típusa: | Felületre szerelhető | Csatorna típusa: | N | Tüskék száma: | 22 | Tranzisztorkonfiguráció: | Kettős | Méret: | 66.2 x 32.8 x 11.9mm | Maximális működési hőmérséklet: | +150 °C | Min. működési hőmérséklet: | -40 °C | Szélesség: | 32.8mm |
|
| | |
| | | |
| További keresőfogalmak: 1958771, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, IGBT-k, onsemi, NXH100B120H3Q0STG |
| | |
| |