Dióda 10.1A, 650V SiC Schottky, SiC Schottky, 2+Tab-tüskés, D2PAK 2.4V

A szilícium-karbid (SiC) Schottky-diódák olyan teljesen új technológiát használnak, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb fokú megbízhatóságot biztosít a szilíciumhoz képest. A fordított helyreállási áram hiánya, a hőmérséklet-független kapcsolási karakterisztika és a kiváló termikus teljesítmény a szilícium-karbidot a teljesítmény-félvezetők következő generációjává teszi. A rendszer előnyei közé tartozik a legnagyobb fokú hatékonyság, a gyorsabb működési frekvencia, a nagyobb teljesítménysűrűség, a kisebb mértékű elektromágneses interferencia, valamint a kisebb rendszerméret és -költség.Max. illesztési hőmérséklet 175 °C Nagy lökőáram-kapacitás Pozitív hőmérsékleti együttható Egyszerű párhuzamosíthatóság Nincs fordított helyreállás / Nincs előreirányú helyreállás PPAP-kompatibilitás Alkalmazások Autóipari HEV/EV fedélzeti töltők Autóipari HEV/EV DC–DC-átalakítók