STMicroelectronics STGWA50HP65FB2 IGBT N-csatornás, 86 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247 1 Egyszeres

Az STMicroelectronics HB2 sorozat 650 V-os IGBT-sorozata a Advanced szabadalmaztatott árkerech térhatároló szerkezet fejlődését képviseli. A HB2 sorozat teljesítményét a vezetés szempontjából optimalizálták, köszönhetően a VCE(SAT) jobb viselkedésének alacsony áramfelvételen, valamint a csökkentett kapcsolási energiának. A csak védelmi célokra használt diódát az IGBT-vel egyidejűleg csomagolják. Az eredmény egy olyan termék, amelyet kifejezetten arra terveztek, hogy a gyors alkalmazások széles köre számára a lehető legnagyobb hatékonyságot érje el.Maximális csatlakozási hőmérséklet: 175 °C Védődiódával együtt csomagolva Minimális áramlat Szűk paraméterelosztás Alacsony hővezetési ellenállás Pozitív hőmérsékleti együttható