SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 12 A, 1200 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA10N120 SiC

Az STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET a széles sávszélességű anyagok Advanced, innovatív tulajdonságainak kihasználásával készült. Ez felülmúlhatatlan ellenállást eredményez az egy egységre jutó területen, és nagyon jó kapcsolási teljesítményt eredményez, amely szinte független a hőmérséklettől. A szilícium-karbid anyag kiemelkedő hőtulajdonságai, valamint a készülék saját HiP247 csomagban található háza lehetővé teszi a tervezők számára, hogy ipari szabványnak megfelelő, jelentősen továbbfejlesztett hőfunkcióval rendelkező felépítést használjanak. Ezek a funkciók tökéletesen alkalmassá teszik az eszközt nagy hatékonyságú és nagy teljesítménysűrűségű alkalmazásokhoz.Könnyen vezethető Kis kapacitás Nagyon gyors és robusztus testtel rendelkező dióda A kapcsolási veszteségek kismértékű eltérése hőmérséklet Nagyon magas üzemi hőmérséklet-képesség (200 °C) Nagyon szoros variáció az on-rezisztencia függvényében hőmérséklet