Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  >  > Cikk

SiC teljesítménymodul, 1 elem/chip, 45 A, 650 V, 3-tüskés, HiP247 SCTWA35N65G2V SiC


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2043959
Gyártó:
     ST Microelectronics
Gyártói szám:
     SCTWA35N65G2V
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
2043959
Félvezetők
Diszkrét félvezetők
MOSFET-ek
Az STMicroelectronics Silicon card Power MOSFET technológiát az ST Advanced and innovative 2ngenerációs SIC MOSFET technológiájával fejlesztették ki. A készülék rendkívül alacsony ellenállású egységterületenként, és nagyon jó kapcsolási teljesítményt nyújt. Mind az ellenállás, mind a kapcsolási veszteség változása majdnem független a csatlakozási hőmérséklettől.Kis kapacitás Nagyon gyors és robusztus testtel rendelkező dióda Nagyon szoros variáció az on-rezisztencia függvényében hőmérséklet
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
45 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
650 V
Csomag típusa:
HiP247
Sorozat:
SCTWA35N65G2V
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
0,072 Ω
Csatorna mód:
Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:
3.2V
Elemek száma chipenként:
1
Tranzisztor anyaga:
SiC
További keresőfogalmak: STMicroelectronics, SCTWA35N65G2V
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 4 086,00*
  
Az ár 3 000 db-től érvényes
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
1 db
HUF 5 848,00*
HUF 7 427,00
db-ként
kezdő: 2 db
HUF 5 789,00*
HUF 7 352,00
db-ként
kezdő: 5 db
HUF 5 339,00*
HUF 6 781,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 4 861,00*
HUF 6 173,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 4 795,00*
HUF 6 090,00
db-ként
kezdő: 3000 db
HUF 4 086,00*
HUF 5 189,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.