ON Semiconductor NTMFS006N08MC

A ON SEMICONDUCTOR Power Trench sorozatú 150V N-csatornás MV MOSFET Advanced eljárással készül, amely árnyékolt kapu technológiát tartalmaz. Ezt a folyamatot úgy optimalizálták, hogy minimalizálják a bekapcsoláskori ellenállás mértékét, mégis fenntartják a magas szintű kapcsolási teljesítményt a diódatest kategóriaelső puhaságával.Max RDS(on) = 11,5 m VGS esetén 10 V, az ID 35A Alacsony vezetési veszteség A max RDS(on) 13,2 m a VGS-nél 8 V, az ID 18A 50%-kal alacsonyabb Qrr, mint más mosfet szállítók Csökkenti a kapcsolási zajt/EMI-t. MSL1 típusú, robusztus tokkialakítás 100% UIL tesztelve