MOSFET tranzisztor + dióda, 1 elem/chip, 19,5 A, 1200 V, 7-tüskés, D2PAK (TO-263) NTB Si

A ON SEMICONDUCTOR SSIC N-csatornás 1200V MOSFET teljesen új technológiát használ, amely kiváló kapcsolási teljesítményt és nagyobb megbízhatóságot nyújt a szilíciumhoz képest. Ezen kívül az alacsony ellenállás és a kompakt chip mérete alacsony kapacitást és kapu töltést biztosítanak. Ennek következtében a rendszer előnyei közé tartozik a legnagyobb hatékonyság, a Faster működési frekvencia, a megnövelt teljesítménysűrűség, a csökkentett EMI és a rendszer kisebb mérete.A folyamatos leeresztés névleges áramerőssége 19,5A Az ellenállás alapján a forrás felé történő leeresztés 224mohm Rendkívül alacsony kapu töltés Nagy sebességű kapcsolás és alacsony kapacitás 100% lavina tesztelve