Kategóriák
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció
Kosár
 
 

MOSFET, 1 elem/chip, 2,9 A, 800 V, 3-tüskés, IPAK (TO-251) E


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2104997
Gyártó:
     Vishay
Gyártói szám:
     SIHU2N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
2104997
Félvezetők
Diszkrét félvezetők
MOSFET-ek
A Vishay e sorozatú teljesítmény MOSFET IPAK (TO-251) tokozással rendelkezik.Kis jósági tényező (FOM): Ron x Qg Alacsony effektív kapacitás (CISS) Kevesebb kapcsolási és vezetési veszteség Rendkívül kis mértékű kaputöltés (Qg) Avalanche-energia (UIS) Integrált Zener dióda ESD védelem
További információk:
Csatorna típusa:
N
Maximális folyamatos nyelőáram:
2,9 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:
800 V
Csomag típusa:
IPAK (TO-251)
Sorozat:
E
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Tüskék száma:
3
Maximális nyelő forrásellenállás:
2.5 Ω
Maximális kapu küszöbfeszültség:
2 → 4V
Elemek száma chipenként:
1
További keresőfogalmak: Vishay, SIHU2N80AEGE3
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 155,00*
  
Az ár 75 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 10 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 10 db
HUF 389,00*
HUF 494,00
db-ként
kezdő: 50 db
HUF 375,00*
HUF 476,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 347,00*
HUF 441,00
db-ként
kezdő: 200 db
HUF 337,00*
HUF 428,00
db-ként
kezdő: 250 db
HUF 279,00*
HUF 354,00
db-ként
kezdő: 500 db
HUF 235,00*
HUF 298,00
db-ként
kezdő: 1000 db
HUF 184,00*
HUF 234,00
db-ként
kezdő: 75000 db
HUF 155,00*
HUF 197,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.