MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252)

A STMicroelectronics nagyfeszültségű N-csatornás teljesítmény MOSFET a mesh DM6 gyors regeneráló diódasorozatot képezi. A korábbi mesh Fast generációhoz képest a DM6 ötvözi a nagyon alacsony helyreállítási díjat (Qrr), a helyreállítási időt (trr) és a területenkénti RDS(on) kiváló javulását a piacon elérhető egyik leghatékonyabb kapcsolási viselkedéssel a legigényesebb nagy hatékonyságú hídtopológiák és a ZVS fáziseltolásos átalakítók számára.Gyors helyreállás test dióda Csökkentse az RDS(on) értéket területenként az előző generációhoz képest Alacsony kapu töltés, bemeneti kapacitás és ellenállás 100%-osan lavinaálló Rendkívül magas dv/dt robusztusság Zener-védelem