MOSFET, 1 elem/chip, 7 A, 1700 V, 3-tüskés, HiP247 SCT1000N170 Si

SiC MOSFETA STMicroelectronics szilícium-karbid teljesítmény MOSFET gyártott kihasználva a Advanced, innovatív tulajdonságait széles sávrés anyagok. Ez az egységnyi területre eső, felülmúlhatatlan fajlagos ellenállást és a hőmérséklettől szinte teljesen független, nagyon jó kapcsolási teljesítményt eredményez. A SiC anyag kiemelkedő hőtulajdonságai, valamint a készülék háza a saját HiP247 csomagban lehetővé teszik a tervezők számára, hogy egy ipari szabvány vázlatot használjunk, amely jelentősen jobb termikus képességgel rendelkezik.Nagy sebességű kapcsolási teljesítmény Nagyon gyors és robusztus belső test dióda Alacsony kapacitás