MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 600 V, 3-tüskés, TO-220 FP CoolMOS™ P7 Si

A Infineon CoolMOS 7. Generációs platform egy forradalmian új technológia a nagyfeszültségű MOSFET-ekhez, amelyet a szuper csatlakozás (SJ) elvének megfelelően terveztek, és amelyet a Infineon Technologies úttörő. A 600V CoolMOS P7 sorozat a CoolMOS P6 sorozat utódja. Egyesíti a gyors SJ MOSFET előnyeit a kiváló egyszerű használattal, például nagyon alacsony csengetési hajlammal, a test diódájának kiemelkedő ellenálló képességével a kemény kommutáció ellen és kiváló ESD képességgel. Továbbá a rendkívül alacsony kapcsolási és vezetési veszteségek még hatékonyabbá, kompaktabbá és sokkal hűvösebb kapcsolási alkalmazásokat tesznek lehetővé.Kiváló, 2 >kV-os ESD-ellenálló képesség (HBM) minden termékhez A kiemelkedő funkciónak köszönhetően kemény és lágy kapcsolásra is alkalmas kommutációs zavartság