MOSFET, 1 elem/chip, 55 A, 80 V, 7-tüskés, DirectFET izometrikus HEXFET Si

A Infineon HEXFET® teljesítmény MOSFET 80V maximális leeresztési forrásfeszültséggel rendelkezik egy DirectFET MZ tokozásban, amely 55 ampernél van optimalizálva alacsony bekapcsolt ellenállással. Az IRF6668PbF a legújabb HEXFET® Power MOSFET szilikon technológiát a Advanced DirectFETTM csomagolással kombinálja, hogy a legalacsonyabb bekapcsolt állapotú ellenállást érje el EGY OLYAN csomagban, amely AZ SO-8 és csak 0.7 mm-es profillal rendelkezik. A DirectFET csomag kompatibilis a teljesítményalkalmazásokban, NYÁK-szerelési berendezésekben és gőzfázisú, infravörös vagy konvekciós forrasztási technikákban használt meglévő elrendezési geometriákkal. AZ AN-1035 alkalmazási megjegyzés a gyártási módszerek és folyamatok tekintetében kerül alkalmazásra. A DirectFET csomag lehetővé teszi a kétoldalas hűtést, hogy maximalizálja a hőátadást az energiarendszerekben, és 80%-kal javítja a korábbi legjobb hőállóságot.Ólommentes (legfeljebb 260 °C-os visszafolyási hőmérsékletre minősítve) Ideális nagy teljesítményű szigetelt átalakító elsődleges kapcsoló aljzathoz Szinkron egyenirányítás esetén optimalizálva Alacsony vezetési veszteségek Magas CDV/dt immunitás