MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 270 A, 40 V, 3-tüskés, D2PAK (TO-263) HEXFET Si

A Infineon 20V-40V N-csatornás, járműipari minősítéssel rendelkező MOSFET-EK széles választékát kínálja az új OptiMOS technológiával, számos csomagban, hogy megfeleljen az igényeknek és elérje az RDS(on)-t egészen 0.6mΩ-ig.az új OptiMOS 6 és Optimos5 40V benchmark MOSFET technológia alacsony vezetési veszteségeket tesz lehetővé (A legjobb az RDSon osztályú teljesítmény), alacsony kapcsolási veszteségek (jobb kapcsolási viselkedés), javított diódavisszanyerés és EMC viselkedés. Ez a MOSFET technológia a legtöbb Advanced és innovatív csomagokban használatos a legjobb termékteljesítmény és minőség elérése érdekében. A tökéletes tervezési rugalmasság érdekében az autóipari minősítésű MOSFET-EK számos csomagban kaphatók, hogy megfeleljenek az igények széles körének. A Infineon folyamatosan javítja az ügyfelek jelenlegi képességeit, kapcsolási viselkedését, megbízhatóságát, csomagméretét és általános minőségét. Az újonnan kifejlesztett integrált félhíd innovatív és költséghatékony megoldást kínál a motormeghajtó és a felépítmény alkalmazásokhoz.Advanced Process technológia Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás 175 °C-os üzemi hőmérséklet Gyors kapcsolás Ismétlődő lavina megengedett akár Tjmax