MOSFET tranzisztor + dióda, 2 elem/chip, 77 A, 40 V, 3-tüskés, DPAK (TO-252) HEXFET

A Infineon erős IRFET teljesítmény MOSFET család alacsony RDS(ON) és nagy áramerősségű képességekre van optimalizálva. Az eszközök ideálisak a teljesítményt és robusztusságot igénylő, alacsony frekvenciájú alkalmazásokhoz. Az átfogó portfólió alkalmazások széles körével foglalkozik, beleértve a DC motorokat, az akkumulátorkezelő rendszereket, az invertereket és a DC-DC átalakítókat.A disztribúciós partnerek legszélesebb körű elérhetőségére optimalizálva Termékminősítés a JEDEC szabvány szerint Ipari szabvány felületre szerelhető csomag 100

További információk:

Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	77 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	40 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Sorozat:	HEXFET
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	0.009 O
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	20V
Elemek száma chipenként:	2