Dióda 10A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 3-tüskés, TO-247

A Infineon CoolSiC™ Schottky dióda 5 1200 V-os generációja, 10 A-es A TO-247-3 csomagban, élvonalbeli technológiát kínál a SIC Schottky barrier diódákhoz. A G2-vel már bevezetett vékony szelettechnológia most egy új egyesített pn-elosztással párosul, amely javítja a diódák túláramát. Az eredmény egy sor olyan termék, amelyek vonzó költségponton piacvezető hatékonyságot és nagyobb rendszermegbízhatóságot nyújtanak.Kategóriájában a legjobb előremeneti feszültség (VF) Nincs fordított visszaforgatási díj A VF enyhe pozitív hőmérséklet-függése Kategóriájában a legjobb túlfeszültség-védelmi képesség Kiváló hőteljesítmény