Dióda 10A, 1200V SiC Schottky, SiC Schottky, 2-tüskés, TO-247

A 5 1200 V-os generációs Infineon CoolSiC™ Schottky diódák, 10 A MA MÁR KAPHATÓ A TO-247 valódi 2 érintkezős tokozásban, a ma gyakran használt bipoláris Si diódák egyszerű cseréjéhez. Az új csomagban található kibővített 8.7 mm-es levezetés és távolság nagyobb biztonságot nyújt a nagy szennyezésű környezetekben. A Si IGBT vagy szuper-csatlakozó MOSFET-ekkel kombinálva, például egy 3 fázisú átalakítórendszerekben használt Vienna egyenirányító vagy PFC boost szakaszban, a CoolSiC™ dióda akár 1%-kal növeli a hatékonyságot a következő legjobb Si dióda alternatívához képest.Nincs visszaállási áram, nincs előremeneti helyreállítási feszültség Hőmérséklet-független kapcsolási viselkedés Alacsony előremeneti feszültség magas üzemi hőmérsékleten is Szoros előmenetirányú feszültségelosztás Magas lökőáram-kapacitás Valódi kétcsapos csomag 8.7 mm-es leeséssel és hézagokkal