MOSFET, 1 elem/chip, 52 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 45 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium (Si) alapú kapcsolókhoz, például IGBT-khez és MOSFET-ekhez képest a SiC MOSFET számos előnyt kínál.Kategóriájában a legjobb kapcsolási és vezetési veszteség Magas küszöbfeszültség, Vth > 4 V 0 V-os lekapcsoló kapu feszültség a könnyű és egyszerű kapu meghajtáshoz Széles kapu-forrás feszültségtartomány Robusztus és alacsony veszteségű test dióda kemény kommutációra