MOSFET, 1 elem/chip, 4,7 A, 1200 V, 4-tüskés, TO-247-4 IMZ1 Si

A TO247-4 tokozású Infineon CoolSiC™ 350 V, 1200 m-es SIC MOSFET a csúcstechnológiás Trench Semiconductor folyamatra épül, amely a teljesítményt és a megbízhatóságot ötvözi. A hagyományos szilícium (Si) alapú kapcsolókhoz, például IGBT-khez és MOSFET-ekhez képest a SiC MOSFET számos előnyt kínál. Ezek közé tartozik, a legalacsonyabb kapu töltés és eszköz kapacitás szintje látható 1200 V kapcsolók, nincs fordított helyreállítási veszteség a belső kommutáció bizonyíték test dióda, hőmérséklet független alacsony kapcsolási veszteségek, és küszöbérték-mentes on-state jellemző.Kategóriájában a legjobb kapcsolási és vezetési veszteség Magas küszöbfeszültség, Vth > 4 V 0 V-os lekapcsoló kapu feszültség a könnyű és egyszerű kapu meghajtáshoz Széles kapu-forrás feszültségtartomány Robusztus és alacsony veszteségű test dióda kemény kommutációra Hőmérséklet-független kikapcsolási veszteségek Meghajtóforrás-érintkező az optimális kapcsolási teljesítmény érdekében