MOSFET, 1 elem/chip, 4,5 A, 1700 V, 7-tüskés, TO-263-7 LSIC1MO170T0750 SiC

Az új Littelfuse 1700V, 750 mOhm szilícium-karbid (SiC) MOSFET-EK TO-263-7L csomagban kerülnek bemutatásra. A leválasztott forrástüske jelentősen csökkenti a káros forrás induktivitását a meghajtó felé, ami javítja a hatékonyságot a nagy teljesítményű alkalmazásokban. A maximális üzemi csatlakozási hőmérséklet 175 °C. Ezek a MOSFET-EK ideálisak olyan nagyfrekvenciás alkalmazásokhoz, ahol nagy hatékonyságra van szükség.Nagyfrekvenciás, nagy hatékonyságú alkalmazásokhoz optimalizálva Rendkívül alacsony kapu töltés és kimenet kapacitás Alacsony kapu ellenállás a nagyfrekvenciás kapcsoláshoz Normál körülmények között kikapcsolt állapotban, minden hőmérsékleten Rendkívül alacsony bekapcsolt állapotú ellenállás Optimalizált csomag külön illesztőprogram-forrástűvel MSL 1 besorolású