MOSFET, 1 elem/chip, 300 A, 80 V, 8-tüskés, HSOF-8 OptiMOS™ 5 Szilikon

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-2291811

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
IAUT300N08S5N012ATMA2

EAN/GTIN:
nincs adat

Keresőfogalmak:

A Infineon n csatornás MOSFET üzemi hőmérséklete 175 °C, lavinája pedig 100 százalék.RoHS-kompatibilis és AEC Q101 minősítésű

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	300 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	80 V
Csomag típusa:	HSOF-8
Sorozat:	OptiMOS™ 5
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	8
Maximális nyelő forrásellenállás:	0.0012 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Maximális kapu küszöbfeszültség:	3.8V
Elemek száma chipenként:	1
Tranzisztor anyaga:	Szilikon

További keresőfogalmak: 2291811, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, IAUT300N08S5N012ATMA2

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 267,00*

Az ár 6 000 db-től érvényes

Megrendelések csak a 2 db többszöröseként

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.