Kategóriák
Magyarország
Magyar
Az én Mercateóm
bejelentkezés / regisztráció		Kosár
 		 
 >  >  >  >  >  > Cikk

ROHM RGW80TS65EHRC11 IGBT N-csatornás, 40 A, 650 V, 3-tüskés, TO-247N 1 Közös emitter


Mennyiség:  db  
Termékinformációk
Product Image
Product Image
Cikkszám:
     4GUDN-2352762
Gyártó:
     ROHM Semiconductor
Gyártói szám:
     RGW80TS65EHRC11
EAN/GTIN:
     nincs adat
Keresőfogalmak:
IGBT
Tranzisztor
Maximális folyamatos kollektoráram = 40 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség = 650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség = ±30V
Maximális teljesítménydisszipáció = 214 W
Csomag típusa = TO-247N
Rögzítés típusa = Furatszerelt
Csatorna típusa = N
Tüskék száma = 3
Tranzisztorkonfiguráció = Közös emitter
További információk:
Maximális folyamatos kollektoráram:
40 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:
650 V
Maximális kapu kibocsátó feszültség:
±30V
Maximális teljesítménydisszipáció:
214 W
Tranzisztorok száma:
1
Kiosztás:
Egyszeres
Csomag típusa:
TO-247N
Rögzítés típusa:
Furatszerelt
Csatorna típusa:
N
Tüskék száma:
3
Tranzisztorkonfiguráció:
Közös emitter
További keresőfogalmak: 2352762, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, IGBT-k, ROHM, RGW80TS65EHRC11
A kondíciók áttekintése1
Szállítási idő
Raktárkészlet
Nettó ár
kezdő: HUF 1 987,00*
  
Az ár 6 000 db-től érvényes
Megrendelések csak a 2 db többszöröseként
Részletes információk
Cikk megosztásaCikk hozzáadása a bevásárlólistához
Sávos árak
Rendelési mennyiség
Nettó
Bruttó
Egység
kezdő: 2 db
HUF 3 092,00*
HUF 3 927,00
db-ként
kezdő: 4 db
HUF 3 078,00*
HUF 3 909,00
db-ként
kezdő: 10 db
HUF 2 853,00*
HUF 3 623,00
db-ként
kezdő: 20 db
HUF 2 722,00*
HUF 3 457,00
db-ként
kezdő: 40 db
HUF 2 627,00*
HUF 3 336,00
db-ként
kezdő: 100 db
HUF 2 605,00*
HUF 3 308,00
db-ként
kezdő: 200 db
HUF 2 266,00*
HUF 2 878,00
db-ként
kezdő: 6000 db
HUF 1 987,00*
HUF 2 523,00
db-ként
* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.
Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.