MOSFET, 1 elem/chip, 12 A, 100 V, 3-tüskés, TO-220AB Egyszeres Si

Kiemelési mód N-csatornás MOSFET, Fairchild Semiconductor. Kontrasztítási mód Szántósztikus hatások Szántóföldi tranzisztorok (FET) előállítása a Fairchild gyártóspecifikus, magas cellasűrűségű, MOS technológiával történik. Ezt a nagy sűrűségű eljárást úgy tervezték, hogy a lehető legkisebb legyen az állapot ellenállása, továbbá robusztus és megbízható teljesítményt és gyors kapcsolást biztosítson.