MOSFET, 1 elem/chip, 1 A, 100 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-301338

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRLD110PBF

EAN/GTIN:
5059040965546

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 100 V - 150 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	100 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	540 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-10 V, +10 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 301338, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRLD110PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 1 986,40*

Az ár 7 500 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 5 db (kezdő: HUF 397,28* db-ként)

Sávos árak