MOSFET, 1 elem/chip, 120 mA, 600 V, Kiürítéses, 3-tüskés, SOT-223 SIPMOS Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-3545708

Gyártó:
Infineon

Gyártói szám:
BSP135

EAN/GTIN:
5059043706979

Keresőfogalmak:

Infineon SIGMOS® N-Channel MOSFET-ek

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	120 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	600 V
Csomag típusa:	SOT-223
Sorozat:	SIPMOS
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Maximális nyelő forrásellenállás:	60 Ω
Csatorna mód:	Kiürítéses
Maximális kapu küszöbfeszültség:	1V
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2.1V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.8 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	6.5mm

További keresőfogalmak: 3545708, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Infineon, BSP135

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 345,00*

Az ár 30 000 db-től érvényes

Sávos árak

* A csillaggal jelölt árak nettó árak, jogilag érvényes ÁFA nélkül.

Ajánlatunk kizárólag vállalatoknak, vállalkozóknak és szabadfoglalkozásúaknak szól.