onsemi MJD112T4G Darlington tranzisztor, NPN, 4 A, 100 V, HFE:200, 3-tüskés, DPAK (TO-252) Egyszeres

Mennyiség:

csomag

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-463016

Gyártó:
onsemi

Gyártói szám:
MJD112T4G

EAN/GTIN:
5059042520255

Keresőfogalmak:

A gyártó S vagy NSV előtaggal ellátott cikkszámai az AEC-Q101 szabványnak megfelelő autóipari gépek. Az on Semiconductor NPN Darlington tranzisztorok

További információk:


Tranzisztortípus:	NPN
Maximális folyamatos kollektoráram:	4 A
Maximális kollektor kibocsátó feszültség:	100 V
Maximális kibocsátó alapfeszültség:	5 V
Csomag típusa:	DPAK (TO-252)
Rögzítés típusa:	Felületre szerelhető
Tüskék száma:	3
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Elemek száma chipenként:	1
Minimális egyenáramú erősítés:	200
Maximális alap kibocsátó telítés feszültség:	4 V
Maximális kollektor alapfeszültség:	100 V
Maximális kollektor kibocsátó telítés feszültség:	3 V
Maximális kollektor levágási feszültség:	0.02mA
Méret:	6.73 x 6.22 x 2.38mm

További keresőfogalmak: darlington tranzisztor, 463016, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, Darlington-párok, onsemi, MJD112T4G

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 3 707,60*

Az ár 3 000 csomagok-től érvényes

1 csomag tartalmaz 20 db (kezdő: HUF 185,38* db-ként)

Sávos árak