MOSFET, 1 elem/chip, 600 mA, 200 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5410531

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFD210PBF

EAN/GTIN:
5059040894716

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 200 V - 250 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	600 mA
Maximális nyelő forrásfeszültség:	200 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	1,5 Ω
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+150 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: 5410531, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFD210PBF

A kondíciók áttekintése¹

Szállítási idő

Raktárkészlet

Nettó ár

kezdő: HUF 62,00*

Az ár 2 500 000 db-től érvényes

Sávos árak