MOSFET, 1 elem/chip, 1.7 A, 60 V, 4-tüskés, HVMDIP Egyszeres Si

Mennyiség:

Termékinformációk

Cikkszám:
4GUDN-5410581

Gyártó:
Vishay

Gyártói szám:
IRFD014PBF

EAN/GTIN:
5059040701434

Keresőfogalmak:

N-csatornás MOSFET, 60 V - 90 V, Vishay Semiconductor

További információk:


Csatorna típusa:	N
Maximális folyamatos nyelőáram:	1.7 A
Maximális nyelő forrásfeszültség:	60 V
Csomag típusa:	HVMDIP
Rögzítés típusa:	Furatszerelt
Tüskék száma:	4
Maximális nyelő forrásellenállás:	200 mΩ
Csatorna mód:	Növekményes
Minimális kapu küszöbfeszültség:	2V
Maximális teljesítménydisszipáció:	1.3 W
Tranzisztorkonfiguráció:	Egyszeres
Maximális kapu forrásfeszültség:	-20 V, +20 V
Hossz:	5mm
Maximális működési hőmérséklet:	+175 °C
Elemek száma chipenként:	1

További keresőfogalmak: Tranzisztor, teljesítmény tranzisztor, 5410581, Félvezetők, Diszkrét félvezetők, MOSFET-ek, Vishay, IRFD014PBF

Ajánlatok (2)

Raktárkészlet

Szállítás nettó

Sávos ár

Nettó ár

HUF 1 200,00*

kezdő: HUF 123,00*

HUF 374,00*

Raktár 4GUDN

HUF 1 500,00*

kezdő: HUF 309,00*

HUF 607,00*

Árak: Raktár 4GUDN

Raktárkészlet: Raktár 4GUDN

Szállítás nettó: Raktár 4GUDN

Jelenítsen meg részletesebb raktárkészlet információt.

Visszaviteli jog ezen termékre: Raktár 4GUDN

Időszak:	21 napon belül
Csomagolási állapot:	Eredeti csomagolás nincs kinyitva, sérülés nélkül
Áru állapota:	használatlan
Visszaszállítási költség:	az ügyfél fizeti
Kezelési költség:	A költségeket az egyedi eset vizsgálata után a kereskedelmi partner állapítja meg.
Az ÁSZF szerinti szavatossági idő a megadott visszaviteli jogtól függetlenül változatlan marad.